詳細な説明のキー技術を実現するev急速充電

詳細な説明のキー技術を実現するev急速充電

番号としての電気自動車 (ev) 増加、成長があるインフラシステムよりエネルギー効率充電を作成するために必要に使用することができる充電車より迅速に。 前と比較してevs、新しいevsいる駆動範囲と大きなバッテリ容量、を開発する必要があるのでevクイック充電器の要件を満たすために急速充電。 今、150 kwまたは200 kw充電ステーションは約30分を請求するするために電気自動車80% 、と車両移動することができる約250キロ。 によるとジョイント充電システムとchademo標準、高速dc充電ステーションを提供することができ電力400 kwまでです。


現在、ag電気は作業に半導体技術権限電気充電器高速、より安全で効率的。


高電圧半導体スイッチ (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ [igbt] とシリコン超硬 [sic]) を運転しているバス電圧 (800 vまたは1,000 v)。 システム電圧が上昇として、要件分離技術はも増加を確保するために全体的な安全性と信頼性。


電源コンバータとして達成することができ高速スイッチング周波数 (から数百ヘルツに数mhz) 、をサイズの磁気部品や他の受動部品回路に使用が低減されるこれらの高周波数で、それによってシステムコストと増加全体電力密度。 したがって、高帯域幅電流電圧検出正確に制御する必要がありますと保護デジタル電力レベル。


高い効率複数の使用を必要とする複雑な電力レベル、必要とする高電圧絶縁型ゲートドライバ効果的にスイッチこれら電力レベルと全体のスイッチング損失、を向上させるだけでなく分離と短絡保護。


高電力密度、信頼性、と堅牢性でますます重要になってきて電源コンバータで使用Ev急速充電器。 電源と電圧レベルとして増加、それに不可欠ですから担当者と機器保護有害動作条件。


充電器でターゲットメーカー高電力密度と高効率使用igbt、sicとガンベースの電源コンバータ、とそのスイッチング周波数範囲から数百ヘルツに数mhz。 高周波電流と電圧センサーはこれらの開発プラットフォームに不可欠。


スマートゲート · ドライバ技術要件を満たすの必要な高電圧レベル、高速スイッチング速度、と高速保護。 半導体技術で飛躍的に過去十年、新evクイック充電器、あなたは完全に充電することができあなたのev短い休憩中、利用可能なはすぐになります。

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